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IGBT單管：多種先進(jìn)的IGBT技術(shù)平臺：平面非穿通，溝槽非穿通，平面場截止，溝槽場截止；從經(jīng)濟(jì)和性能方面為用戶提供靈活的選擇方案。
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?功率mos在電動車控制器的作用非常重要，簡單來講mos的輸出電流就是用來驅(qū)動電機(jī)。電流輸出越大（為了防止過流燒壞mos，控制器有做限流保護(hù)），電機(jī)扭矩就強(qiáng)，加速就有力（電機(jī)磁飽和前扭矩和相電流成正比）。
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功能陶瓷在IGBT中就是相當(dāng)于在電子電路基板上的應(yīng)用，作為功能陶瓷基板的材料有著優(yōu)秀的絕緣性，接下來為大家介紹一下功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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串聯(lián)諧振中頻感應(yīng)爐采用IGBT中頻電源。IGBT中頻電源是一種新型的IGBT逆變器模塊，主要用來熔煉碳鋼，合金鋼，鑄鋼，有色金屬。IGBT中頻電源具有加熱速度快，節(jié)能環(huán)保的特點。
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IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。在電子電路中，IGBT在電子電路中就相當(dāng)于一個開關(guān)，是一個大功率大電流高耐壓電壓驅(qū)動的半導(dǎo)體器件。
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利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（即FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
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